南大光电︱第三代半导体龙头，竟买了一个大包袱？

1. 南大光电︱第三代半导体龙头，竟买了一个大包袱？

   
      屈原在他的代表作十万个为什么《天问》中问道：交错而生的阴阳宇宙，其本源与演化究竟如何？都说天有九重，又有谁去度量？（“阴阳三合，何本何化？圜则九重，孰营度之？”）。  
   大约2300年后，名为“天问”的中国行星探测任务启动。“天问一号”火星探测器飞向苍茫宇宙，将于明年二月抵达火星。火星当然不是终点，但是在迈向更远星空的旅途上，比如——太阳。
     
        
    一、踩上风口，关于材料的美好前景   
   宇宙中有许多太阳（恒星），离它们越近温度就越高，辐射就越强，远远超出一二代半导体的承受极限，所以目前探测器去不了离太阳们太近的地方。因为探测器也需要芯片，因此对于半导体基础材料的要求更高。  
   于是，  耐高温、耐高频、抗辐射  又  适应大功率  的第三代半导体闪亮登场了。  
   半导体一二三代主要以材料区分：  
   【第一代】：主要用硅和锗，是目前绝大部分器件的原料；
   【第二代】：砷化镓和磷化镓成为4G通讯设备的主流；
   【第三代】：以氮化镓、碳化硅、氧化锌和金刚石等为代表，尤其是碳化硅和氮化镓各擅胜场。其中  碳化硅  耐高温耐高压，主要用于千伏级别如电动车、高铁或工业用途。  氮化镓  主要用于中压（约600伏）产品。虽然与硅材料有部分重叠，但良好的移动性特别适合高频率场景，所以在  基站  、  5G通讯  等场景占优。
     
   半导体性能越来越强，对材料的要求自然水涨船高。为了能生产第三代半导体材料，上世纪60年代末，一种把  金属有机化合物  气化，在高温反应室里发生化学反应得到相应材料的技术——  MOCVD  ，成为了主流技术。用于这种技术的金属有机化合物统称  MO源  。全世界MO源供应商有4家玩儿得最大，对岸3家我国1家。中国这家就是南大光电（300346）。其主要产品纯度都做到了6N（99.9999%）级，而且与许多用户有深度合作，竞争态势不错。  
       摘自《南大光电2020年半年报》   
   中国拥有世界上已探明镓储量的绝大部分，公司未来很可能成为全球  三甲    基镓  龙头。三甲基镓是制备氮化镓的必需原料，所以三代半导体这个风口，南大光电算是踩中了。  
   另一方面，由于三代半导体还处于起步阶段，公司的MO源目前主要用于LED行业。LED这些年竞争不断加剧，所以公司MO源产品的  毛利率有所下滑  ，但整体上还是不错的。  
       摘自《南大光电2020年半年报》 
     
   不过公司特气产品  毛利下滑  十分严重，这是另一个故事了……  
     
    二、有钱任性，关于收购的悲伤故事   
   在MOCVD技术中，MO源进入反应室需要与高纯超净特种气体，也就是  高纯电子特气  混合。这种气体不但重要，纯度和洁净度直接影响加工精度，而且用量很大，是用量仅次于硅片的半导体材料。公司的磷烷、砷烷气体纯净度都做到了6N级别，是国内LED行业主要的气体供应商，在电子行业也有进展，硅烷、硼烷已经准备投放市场。特气比MO源的利润丰厚很多，去年上半年公司  特气产品毛利率高达60.76%  ，简直高得不像制造业！  
   明星业务急转直下，源自一场有钱任性的并购。  
   去年8月5日，公司公告拟出资2.5亿收购山东飞源气体57.97%的股权，  溢价率高达235%  ！  
       摘自《南大光电取得飞源气体57.97%股权的公告》 
     
   这个收购案的诡异之处在于飞源气体2019年7月才由山东飞源 科技 有限公司通过分立方式设立，其提交的财务文件中2017和2018年  财务报告均是模拟数据  ，两年分别亏损0.3亿和0.2亿，2019年前7个月又亏损近千万。可以说，南大是高溢价收购了别人还没做起来的业务自己做。
   公告一出，深交所发了《关注函》，连发九问要求公司说明收购的合理性。公司答得头头是道，最终于去年11月底完成了收购。  
   任性收购的恶果从去年底开始显现。公司各项费用飙升，利润大幅下滑，直到今年上半年仍没有改善的迹象。公司扣除非经常损益的  净利润骤减87.74%  ，  经营现金流萎缩260.60%  ，由正转负。橙哥估计，买来的这部分业务还亏着呢。  
       摘自《南大光电2020年半年报》 
     
   这里面要说一下的是研发费用。根据半年报，上半年公司研发投入增长40%，如果属实的话那说明公司  大部分研发投入已经符合资本化条件  ，所以计入费用的部分不增反减，这也符合公司不断有新产品进入市场的现状。  
   但是飙升数倍的销售费用和管理费用告诉我们，公司的销售并不顺畅，对收购资产的整合也远没有完成。
     
    三、结语   
   上半年，南大光电193nm高端光刻胶项目（可用于90-14nm技术节点集成电路制造）顺利投产并开始进行客户验证。公司另一高端材料ALD前驱体也具备量产能力并实现小规模销售。近日，公司公告收购杜邦公司19项新型硅前驱体技术资产包，继续增厚技术储备。综合来看，南大光电基础不错，核心产品有积淀，新业务发展也不错。但是一次任性的收购无异于给自己买了一个大包袱，何时卸下这副重担，年报或许有答案。
     
   注：本文不构成投资建议，股市有风险，投资需谨慎，没有买卖就没有伤害。  

2. 南大光电正式官宣！又一关键技术被攻克，国产7nm芯片要来了？

芯片是横在国民科技企业脖子上的一把刀，要么从外国的手中抢过来，要么自己也造出来和他们对拼。随着华为事情的发酵，国民越发明白在芯片制造上我们多么软弱无力，为此举国上下都卯足了劲儿突破这一难关。最近南大光电传来消息，他们突破了光刻胶这一芯片制造的核心技术。
     
 目前，南大光电已经正式对外界宣布，他们建设完成了国内首条ArF光刻胶生产线，并已经投入生产，这种ARF光刻胶可用于7nm极其以上的芯片制造，意味着我国在7nm芯片制造上，再次突破了一个垄断。
     
 此前我国的光刻胶主要是通过日本进口，并且日本的高端光刻胶产业几乎被美国的对冲资金控制，等同于美国垄断了光刻胶行业。7nm光刻胶产业布局并进入量产，这将对中芯国际的晶圆代工摆脱美国控制提供有力的帮助，实现高端芯片国产化的梦想又更近了一步。
     
 大家都知道，芯片制造上，集成线路是最多的零部件，而在大规模集成电路的制造过程中，有两种方法可以将将他们按照一定的路线和布局安装到有限的芯片面板上，这两种方法就是光刻技术和刻蚀技术，这两种技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，越是成熟、高端的工艺，造出的芯片则越小。
     
 现在已经从7nm过度到了5nm的时代，而仅光刻和蚀刻这一道工序，就占了芯片制造时间的一半左右，足见得两道工艺的重要性。这当中光刻工艺要实现就离不开光刻胶，目前市面上有4种类型的光刻胶，其中的主流就是ARF光刻胶，占光刻胶市场份额的40%左右。
     
 光刻胶技术壁垒高，其中最重要的光阻材料，其核心技术被日本和美国把持，几乎垄断了95%以上的核心技术，在企业市场这一块儿也基本只有美日韩三家的市场。
  
 南大光电能通过自主研究，将arf光刻胶突破到7nm-28nm这个水准，已经是个相当不可思议的奇迹了。ARF光刻胶的突破，意味着我国的7nm光刻技术将得到飞跃式成长，只要有了光刻机，造7nm的芯片，几乎就没了问题。
     
 国家自从布局光刻机研究、芯片晶圆代工以后，基本上每个月都在出自己的成绩，足以见得我国的芯片行业已经进入了一个高速发展的时期。
  
 加上几个月前荷兰ASML宣布向我国出售DUV光刻机，以及中芯国际成熟的7nm晶圆代工技艺，就目前的情况来说，我国自主生产7nm的芯片是没问题的。
     
 唯一的问题就在于中芯国际的技术并非全国产化，依然受到美国限制，当然我们也有理由相信我们能做出一套属于自己完整的晶圆代工技艺。
  
 且目前美国已经松了口，很多国际芯片巨头已经恢复了对我国的正常贸易往来，经济全球化的时代谁也离不开谁，不过这一次的松口，将会给我国的芯片发展带来长足的缓冲期，甚至还能像他们学习，获得一些知识，这个窗口期对于国内芯片企业来说，简直就是春天到了。
     
 芯片行业的好消息还有很多，比如华为在自建自己的芯片晶圆代工厂、国家发现更先进的芯片晶圆碳基晶圆，比主流的硅基晶圆强上千倍、百倍；我国突破即使封锁，实现5G射频芯片的设计与生产，此前这项技术全世界只有美国才有；三星与VIVO合作，并且VIVO首发了三星的5nm芯片；小米在美国高通公司有15%的股份，……总之这一切都向着好的方向发展，一切安好，一切向好。